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林兰英，莆田人，1917年出生。祖父经商，父亲大学毕业后在外地工作，母亲从事家务。当时莆田人重男轻女，林兰英的两个姐姐生下来不久就送给别人。然而莆田人十分重学，男孩子都送去读书。在这样的环境下，林兰英既要强又好学，吵闹要母亲和爷爷让她去上学，终于在7岁时进砺青小学读书。 林兰英十分重视来之不易的读书机会，倍加勤奋，加上天资聪颖，小学6年12个学期的成绩都居全班第一名。小学毕业后，母亲要她休学，但林兰英坚决不肯，她向母亲保证要在初中3年中6个学期都得第一名。母亲见她态度坚决，也就默认了。林兰英在初中3年的学习成绩也都居全班第一，终于又进入莆田中学高中部学习。在高二时，林兰英转到咸益女中学习，在高中3年中，每次成绩均为第一，水平远在其他同学之上。 1936年夏，林兰英高中毕业，向爷爷请求上大学，爷爷和母亲这次支持她继续求学。林兰英以优异的成绩考入福建协和大学物理系。1940年夏，林兰英毕业，成绩优秀，留校任教。她卓越的学识与才能，得到李来荣教授的赏识。1945年夏，在李来荣教授的帮助下，林兰英赴美留学深造。
林兰英先在狄金逊学院攻读数学，成绩斐然，获得荣誉学会颁发的“金钥匙”。后来，她的导师埃尔教授要介绍她去芝加哥大学深造，她因已决定研究固体物理学而婉言谢绝。在美国，单晶体作为神奇的固体材料已经崭露头角，而我国的这门科学还是一片空白。她为了报效祖国，前往明尼苏达州大学改学固体物理，先后获得固体物理学硕士、博士学位。毕业之后，为了接近美国半导体材料研究的前沿，她在着名的斯盆尼亚专业公司任高级工程师。林兰英掌握了固体材料研制方面的学问后，便积极筹划回国。
1957年，林兰英以旅行为名领到一张签证，毅然返回祖国。她的爱国行动受到祖国人民的热烈欢迎。回国后，她先后在中国科学院物理研究所、半导体研究所工作，历任研究员、研究室主任、副所长等职务，并光荣加入中国共产党。当时，正值我国制订了12年科学技术发展规划，半导体的研制是其中一个重点发展项目。外国专家估计中国要到60年代才能着手研制单晶材料。林兰英不以为然，她带领一班人日夜奋战，仅用几个月时间就研制成功我国第一只单晶硅。这一成功的消息，震惊中外科技界。1962年，又研究成功新型单晶炉，我国单晶材料接近国际先进水平。之后，林兰英把视野从元素周期表上的锗、硅之类的第四家族，扩展到三、五家族。她把自己的才智重点放在新型材料砷化镓的研究上。1965年，欧洲的一些学者认为，水平法生长砷化镓单晶没有前途。而林兰英却看到砷化镓研究的前景，坚持该项研究工作。她深入科研第一线，亲自动手磨晶片，搞测试，在全所科研人员共同努力下，砷化镓的研究工作推向新的高峰。 1978年3月，她所领导的高纯高电子迁移率的砷化镓汽相和液相外延单晶的制备纯度及电子迁移率均达到国际先进水平。他们向全国科学大会献上蓝莹莹的砷化镓，同时还献上闪烁着桔红色光泽的磷化镓，为我国半导体研究填补了两项空白。 我国半导体器件从60年代的硅平面管发展到硅光电池，以及近期先进的硅集成电路、砷化镓激光器、各种微波器件等；半导体材料从无到有，从低级到高级，从落后到先进，这些都是同林兰英的倡导和努力分不开的。她的着作《硅的欧姆接触的制备》和《锗和硅的载流子抽出的电极的制备》，在美国被列为专刊；她的论文《锑化铟单晶中位错的散射机理的研究》在苏联国际化合物半导体会议上宣读；《锑化热处理机的研究》在捷克斯洛伐克半导体会议上作了介绍；《N型砷化镓单晶质量的初步探索》、《砷化镓单晶高电学性能的研究》、《砷化镓单晶的热稳定性的研究》、《砷化镓单晶中的杂质的缺陷行为》、《稀有金属》、《N型外延砷化镓单晶的补偿度及散射机理的研究》和《半导体中的缺陷》等论文，也都受到国内外学术界的重视。
林兰英多次担任我国学术代表团团长到国外参加学术会议或考察。她参加并主持制定中国科学院和全国有关半导体及其基础材料方面的发展规划和科研计划，对我国半导体材料物理研究的发展方向和研究课题的开设，起了重要的指导作用。林兰英是中国科协第二至四届副主席，中国科学院技术科学部委员，中国电子学会主任委员，中国电子材料委员会主任委员，第三、七届全国人大常委，第四届至六届全国人大代表。 |
